晶合集成申请半导体器件及其制造方法专利，降低了衬底的漏电流_资讯

晶合集成申请半导体器件及其制造方法专利，降低了衬底的漏电流

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2026-02-01 01:40:18

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121442736A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述衬底内设置有外延层；所述第一栅极结构位于所述外延层下方的衬底内，包括第一栅极、第一栅介质层和第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述第一栅极和所述外延层之间，所述第一栅介质层覆盖所述第一栅极的侧壁和底部；所述第二栅极结构位于所述衬底上，且所述第二栅极结构朝向所述衬底表面的正投影与所述第一栅极结构朝向所述衬底表面的正投影部分重合。本申请降低了衬底的漏电流，实现了对半导体器件的电流和电压的精确控制，从而提升了半导体器件的性能，有效降低了半导体器件的噪声，扩展了半导体器件的频带。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1604条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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