索尼申请高电子迁移率晶体管专利，提升器件性能与可靠性
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2026-01-29 23:13:56
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管、RF开关电路、功率放大器电路及无线通信终端”的专利，公开号CN121420642A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，根据本技术的实施方式的高电子迁移率晶体管包括半导体层、栅电极、以及设置在半导体层与栅电极之间的栅绝缘膜。栅绝缘膜具有与半导体层相接触的第一绝缘膜和与第一绝缘膜和栅电极相接触的第二绝缘膜。第一绝缘膜和第二绝缘膜满足以下关系式（A）、（B）和（C）。关系式（A）：EOT（T1）/EOT（T2）≥1.43。关系式（B）：EOT（T2）≤0.75nm。关系式（C）：ε1≥ε2。T1：第一绝缘膜的厚度（nm）。T2：第二绝缘膜的厚度（nm）。EOT（T1）：第一绝缘膜的等效氧化膜厚度。EOT（T2）：第二绝缘膜的等效氧化膜厚度。ε1：第一绝缘膜的相对介电常数。ε2：第二绝缘膜的相对介电常数。EOT：等效氧化膜厚度（二氧化硅膜在静电电容方面等效的膜厚度）。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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