长电科技申请半导体封装结构及其形成方法专利，提高了具有玻璃基板封装结构的性能_资讯

长电科技申请半导体封装结构及其形成方法专利，提高了具有玻璃基板封装结构的性能

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2026-01-27 00:39:59

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国家知识产权局信息显示，长电科技管理有限公司申请一项名为“半导体封装结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398607A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体封装结构及其形成方法，其中形成方法，包括：提供玻璃基板，包括相对的第一表面和第二表面，玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构；在玻璃基板的第一表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一再布线金属层，第一再布线金属层与玻璃通孔互连结构电连接；在无机介质层的远离玻璃基板的表面形成混合键合层，混合键合层包括键合介质层和位于键合介质层的多个第一键合焊盘和多个第二键合焊盘，第一键合焊盘和第二键合焊盘与第一再布线金属层电连接；在玻璃基板第二表面形成有机介质层和位于有机介质层中的第二再布线金属层，第二再布线金属层与玻璃通孔互连结构的电连接。提高了具有玻璃基板封装结构的性能。

天眼查资料显示，长电科技管理有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本550000万人民币。通过天眼查大数据分析，长电科技管理有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目177次，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可41个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资半导体玻璃介质提高了长电科技金属层结构专利布线介质层基板

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