华为申请提升P型晶体管驱动能力专利，可提升沟道层空穴迁移率_资讯

华为申请提升P型晶体管驱动能力专利，可提升沟道层空穴迁移率

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2026-01-26 16:41:05

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备”的专利，公开号CN121262862A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，该P型晶体管可以是垂直沟道晶体管；即P型晶体管的源漏极沿与衬底相垂直的方向设置，沟道层垂直设置在源漏极之间，源漏极包括硅和锗；本申请中，源极或者漏极的至少一个侧面具有氧化硅层，该氧化硅层是通过对源漏极氧化得到，在氧化的过程中，生成的氧化硅体积膨胀，对沟道层施加正压力，这样，可以提升沟道层的空穴迁移率，提升该P型晶体管的驱动电路。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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