中芯国际申请测试结构及测试方法专利,提升单个晶体管漏电流计算精度
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2026-01-24 21:41:33
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国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“测试结构、测试结构的测试方法”的专利,公开号CN121335548A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,一种测试结构、测试结构的测试方法,其中测试结构包括:至少2个测试阵列单元,每个测试阵列单元中具有不同数量的晶体管;所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接;每个测试阵列单元中的晶体管的漏极电连接。通过设置多个测试阵列单元,且将所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接,以保证在对不同测试阵列单元进行量测时,引入的其他路径漏电流值接近,进而在后续计算过程中,能够将引入的其他路径漏电流值进行相互抵消,以此提升单个晶体管漏电流的计算精度。另外更多的测试阵列单元设置,有利于排除部分测试阵列单元异常漏电流带来的影响,以此提升单个晶体管漏电流的计算精度。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,成立于2002年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目53次,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目129次,财产线索方面有商标信息150条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可446个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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