华虹宏力申请齐纳二极管建模方法专利，提高齐纳二极管被击穿后的电流和反偏漏电流的仿真精度_资讯

华虹宏力申请齐纳二极管建模方法专利，提高齐纳二极管被击穿后的电流和反偏漏电流的仿真精度

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2026-01-23 14:13:24

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“齐纳二极管的建模方法、器件模型及仿真方法”的专利，公开号CN121389941A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种齐纳二极管的建模方法、器件模型及仿真方法，包括：提供标准齐纳二极管的器件子模型；定义pt_jtun＝temper+T_kelvin；定义tfac_ntun＝1+t_ntun1*pt+t_ntun2*pt*pt；定义tfac_rbv＝1+t_rbv1*pt+t_rbv2*pt*pt；计算ntun_final＝ntun_eff*tfac_ntun；计算jtun_final＝jtun_eff*pt_jtunjtun_temp；计算r1＝rbv*tfac_rbv*max(v(n,p),0)+0.1。本发明提高了齐纳二极管被击穿后的电流和反偏漏电流的仿真精度。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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