芯成汉奇申请芯片气密性封装结构及方法专利，气密性好_资讯

芯成汉奇申请芯片气密性封装结构及方法专利，气密性好

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2026-01-22 01:10:17

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国家知识产权局信息显示，广东芯成汉奇半导体技术有限公司申请一项名为“芯片的气密性封装结构及封装方法”的专利，公开号CN121358321A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开一种芯片的气密性封装结构及封装方法，芯片的气密性封装结构包括承载基板以及帽盖基板，所述承载基板的中部设有向所述承载基板的内部凹陷的凹槽，所述承载基板的边缘围设有金属挡墙，所述凹槽位于金属挡墙内侧，且凹槽内设有芯片；所述帽盖基板对应所述金属挡墙设有第一键合金属，所述帽盖基板盖设于所述金属挡墙上且所述第一键合金属与所述金属挡墙通过金属键合连接以将所述芯片密封于所述承载基板以及所述帽盖基板之间。本发明通过在承载基板上设置用于安装芯片的凹槽且在承载基板上设置金属挡墙，并在帽盖基板上设置第一键合金属，从而可以通过金属键合工艺实现承载基板与帽盖基板的连接，气密性好，且工艺简洁、结构紧凑。

天眼查资料显示，广东芯成汉奇半导体技术有限公司，成立于2023年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯成汉奇半导体技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目17次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可29个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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