北方华创申请刻蚀方法及半导体工艺设备专利，提高了沟槽深度的均匀性_资讯

北方华创申请刻蚀方法及半导体工艺设备专利，提高了沟槽深度的均匀性

创始人

2026-01-21 20:09:51

0次

国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“刻蚀方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121358187A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该方法包括：执行第一刻蚀步，刻蚀膜层的部分深度，以在膜层内形成至少两个沟槽；在沟槽的部分深度内填充牺牲层，每个沟槽内的牺牲层的顶面齐平；执行第二刻蚀步，刻蚀牺牲层以及至少部分沟槽底部的膜层，直至去除牺牲层，第二刻蚀步刻蚀牺牲层与刻蚀膜层的速率相等。执行第一刻蚀步形成的沟槽的深度可能不一致，在每个沟槽内重构一层顶面齐平的牺牲层，接下来执行第二刻蚀步，由于每个沟槽内的牺牲层的顶面是齐平的，并且刻蚀牺牲层与刻蚀膜层的速率是相等的，每个沟槽内的刻蚀量理论上也应该相等，最终沟槽的深度可以达到一致，从而提高了沟槽深度的均匀性。

天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1358次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资沟槽华创提高了深度导体专利北京齐平牺牲层半导体膜层

上一篇：1月21日科创芯片（000685）指数涨4.21%，成份股龙芯中科（688047）领涨

下一篇：南芯科技：主要从事模拟及嵌入式芯片设计，未涉足消费者应用软件开发业务

北方华创申请刻蚀方法及半导体工艺设备专利，提高了沟槽深度的均匀性

相关内容

热门资讯