英伟芯（上海）申请三五族化合物与硅异质集成单光子雪崩二极管专利，以硅晶圆背面作为光入射面优化光耦合效率_资讯

英伟芯（上海）申请三五族化合物与硅异质集成单光子雪崩二极管专利，以硅晶圆背面作为光入射面优化光耦合效率

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2026-01-21 19:39:48

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国家知识产权局信息显示，英伟芯（上海）科技有限公司申请一项名为“三五族化合物与硅异质集成的单光子雪崩二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121358039A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种三五族化合物与硅异质集成的单光子雪崩二极管及其制备方法，制备方法包括：步骤S11，在硅晶圆上制备所述单光子雪崩二极管的PN结；步骤S12，对所述硅晶圆进行表面处理，然后将三五族化合物晶圆键合到所述硅晶圆上；步骤S13，对所述三五族化合物晶圆进行刻蚀形成红外光吸收区；步骤S14，在所述红外光吸收区上沉积第一介质层；步骤S15，翻转所述硅晶圆，减薄所述硅晶圆的背面的厚度，以所述硅晶圆的背面作为光入射面。

天眼查资料显示，英伟芯（上海）科技有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，英伟芯（上海）科技有限公司专利信息4条。

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来源：市场资讯

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