长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，能够改善半导体结构的漏电性能_资讯

长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，能够改善半导体结构的漏电性能

创始人

2026-01-21 17:41:21

0次

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121358178A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；位于衬底上方的支撑结构以及间隔排布的电容孔，电容孔贯穿支撑结构；位于电容孔内的下电极，其中，下电极包括第一下电极层、第二下电极层和第三下电极层，第一下电极层覆盖电容孔的底部和侧壁，第二下电极层共形于第一下电极层，并构成空腔，第三下电极层填充于空腔；其中，第二下电极层的功函数大于第一下电极层的功函数，且大于第三下电极层的功函数。根据本公开实施例，能够改善半导体结构的漏电性能，同时降低半导体结构的电阻。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息235条，专利信息641条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示科技电极投资电容导体结构专利功函数电极层电容孔半导体长鑫科技

上一篇：天银机电：公司及其子公司并未参与国产芯片的合作研发

下一篇：存储涨价叠加国产替代，半导体赛道景气度攀升，泰康半导体量化选股股票发起式(A:020476；C:020477)跟踪指数强势涨超3%

长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，能够改善半导体结构的漏电性能

相关内容

热门资讯