国家知识产权局信息显示,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121358177A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本申请提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,在所述衬底的表面形成硬掩膜层,刻蚀所述衬底和所述硬掩膜层形成深沟槽,所述深沟槽的侧壁包括带有尖角的突起部;对所述深沟槽的侧壁和底部进行掺杂,形成掺杂层;以及去除所述掺杂层。本申请还提供一种半导体结构。本申请提供的半导体结构及其形成方法,使深沟槽侧壁平整,避免尖角带来的不利影响。
天眼查资料显示,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司,成立于2017年,位于北京市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目22次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息519条,此外企业还拥有行政许可125个。
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