国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“电容参数测试系统及其电容参数测试方法”的专利,公开号CN121347904A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明涉及一种电容参数测试系统及其电容参数测试方法,包括:激励信号源,用于产生激励信号;参数测试装置,其输入端连接所述激励信号源以接收所述激励信号,测试端用于连接被测件;高带宽示波器,与所述参数测试装置的差分输出端连接,用于采集并显示测试波形,通过分析所述测试波形以获取所述被测件的电容值;其中,所述参数测试装置接收所述激励信号并施加于所述被测件,所述被测件的负载效应对所述激励信号进行调制,调制后的信号经所述参数测试装置转换为差分信号输出至所述高带宽示波器。本发明可直接从示波器观测到串扰耦合的波形和寄生电容带来的影响,满足大部分板级测试分析的要求,同时也可作为分离电容的检验装置。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2094次,专利信息2667条,此外企业还拥有行政许可397个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯