华虹半导体申请应用于SGT器件制作的工艺方法专利，改善器件产品的漏电流现象_资讯

华虹半导体申请应用于SGT器件制作的工艺方法专利，改善器件产品的漏电流现象

创始人

2026-01-21 11:39:55

0次

国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“应用于SGT器件制作中的工艺方法”的专利，公开号CN121357931A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种应用于SGT器件制作中的工艺方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有深沟槽，衬底和深沟槽表面形成有第一氧化物层，深沟槽的深度和宽度的比值大于6；在第一氧化物层上形成第一多晶硅层，第一多晶硅层填充深沟槽；进行各向同性刻蚀，去除深沟槽外其他区域的第一多晶硅层，刻蚀后深沟槽内的第一多晶硅层的顶部存在不平整的缺陷；通过调控反应腔内的压力、反应气体成分以及功率这三个参数中的至少一种参数以进行各向异性刻蚀，对第一多晶硅层的顶部进行修饰，使第一多晶硅层的顶部平滑。本申请能够提高在深沟槽中第一多晶硅层上方形成第二多晶硅层的填充性，降低了第二多晶硅层中空隙的产生，改善了器件产品的漏电流现象。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示多晶硅投资沟槽器件半导体无锡工艺专利华虹硅层深沟槽衬底

上一篇：远距离供电电压不够怎么办,远距离供电电压不够怎么办

下一篇：2026年等电位检测公司机构推荐：江西普正防雷检测服务有限责任公司优选指南

华虹半导体申请应用于SGT器件制作的工艺方法专利，改善器件产品的漏电流现象

相关内容

热门资讯