ASM IP申请填充衬底表面间隙专利，形成碳膜优化半导体制造工艺
创始人
2026-01-21 11:11:44
0次
国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“填充衬底表面上的间隙的方法”的专利，公开号CN121344555A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括以下步骤：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；其中碳前体的化学式包括：具有包含C、H和N的环状结构的环状化合物；羰基；和甲基、乙基、丙基、丁基、胺基和/或羟基中的至少一种；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：将第一沉积材料暴露于沉积后处理，以使第一沉积材料在间隙内流动以形成碳膜。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
A股开盘：三大指数集体低开，航...
钛媒体App 1月21日消息，A股开盘，上证指数跌0.25%，深证成指跌0.38%，创业板指跌0.2...
美方称目标是将台湾半导体供应链...
1月21日，国务院台办举行例行新闻发布会。发言人彭庆恩表示，美台达成所谓“贸易协议”，实质是外部势力...
ASM IP申请填充衬底表面间...
国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“填充衬底表面上的间隙的方法”的专利...
科创100ETF华夏(5888...
截至2026年1月21日 10:46，上证科创板100指数(000698)强势上涨1.42%，成分股...
溢价超430%！康欣新材拟跨界...
1月20日晚，康欣新材披露关于收购无锡宇邦半导体科技有限公司部分股权并对其增资的公告。 公告显示，公...
国林科技：半导体臭氧设备可实现...
证券之星消息，国林科技(300786)01月20日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...
半导体板块强势，龙芯中科20%...
半导体板块21日盘中再度走强，先进封装、存储芯片概念等表现亮眼。截至发稿，龙芯中科20%涨停，海光信...
江苏韦达半导体取得半导体加工用...
国家知识产权局信息显示，江苏韦达半导体有限公司取得一项名为“一种半导体加工用磨边装置”的专利，授权公...
专注半导体光芯片，瑞识科技完成...
投资界1月21日消息，近日，VCSEL芯片及解决方案提供商瑞识科技（RAYSEES）宣布完成数亿元C...