国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“降低后段互联接触电阻的方法”的专利，公开号CN121358270A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种降低后段互联接触电阻的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在形成暴露下层铜互连结构的开口后，对衬底进行表面处理。所述表面处理采用包含还原性气体(例如氢气)的处理气体，在等离子体环境中，将所述下层铜互连结构表面的氧化铜还原为金属铜。本发明通过引入还原性气体进行刻蚀后处理，能够高效、温和地去除界面氧化层，显著降低通孔与下层铜互连结构之间的接触电阻，且不会对器件造成损伤。该方法工艺窗口宽，稳定性好，有助于减小集成电路的RC延迟，提升芯片整体性能。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可229个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。

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来源：市场资讯