上海集成电路装备材料产业创新中心申请图像传感器像素结构及制作方法专利，实现对工艺的要求无需提高_资讯

上海集成电路装备材料产业创新中心申请图像传感器像素结构及制作方法专利，实现对工艺的要求无需提高

创始人

2026-01-21 09:12:25

0次

国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器”的专利，公开号CN121358018A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器，所述像素结构包括：形成于第一衬底上的光电转换二极管、电荷转移闸门晶体管与浮动扩散缓存，以及形成于第二衬底上的源跟随器晶体管、行选择器晶体管与复位晶体管，且位于不同衬底上的晶体管通过互连工艺连接构成双层像素结构。本发明将光电转换二极管与至少一部分晶体管设置于不同的衬底上，从而使得光电转换二极管能够获得更大的面积，同时又可以保证满阱电容与量子效率，对工艺的要求也无需提高。另外，源跟随器晶体管也可以获得足够的面积来降低噪声。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目79次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息584条，此外企业还拥有行政许可211个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

创新中心上海产业图像传感器集成电路工艺晶体管结构专利图像传感器衬底像素二极管

上一篇：鸿远电子（603267）1月20日主力资金净卖出2964.54万元

下一篇：【机构调研记录】新华基金调研埃科光电、苏大维格

上海集成电路装备材料产业创新中心申请图像传感器像素结构及制作方法专利，实现对工艺的要求无需提高

相关内容

热门资讯