意法半导体申请用于超低压存储器设计支持的写辅助方案专利，有助于确保数据被快速且正确地写入存储器单元
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2026-01-20 16:39:36
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于超低压存储器设计支持的写辅助方案”的专利，公开号CN121351740A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及用于超低压存储器设计支持的写辅助方案。存储器阵列包括写辅助电路，所述写辅助电路有助于确保即使以低电源电压电平也能有效且高效地执行写操作。写辅助电路包括负电压生成器，所述负电压生成器在写操作期间生成负电压，并将所述负电压施加到与所选择存储器单元耦合的位线。负电压有助于确保数据被快速且正确地写入存储器单元。写辅助电路还包括泄漏控制电路，所述泄漏控制电路通过向存储器阵列的其他部分施加负电压以减少泄漏电流，从而帮助减少与负电压的生成相关联的泄漏。
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