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新美光申请半导体刻蚀优化控制方法专利，提高刻蚀控制柜的控制精度和控制效率

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2026-01-19 11:39:35

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国家知识产权局信息显示，新美光（苏州）半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜”的专利，公开号CN121358189A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜，该方法包括构建至少两个级联的第一类残差模块、第一刻蚀误差预测模块，根据原始特征图产生第一刻蚀误差预测结果；构建增强图像获取模块、至少两个级联的第二类残差模块、第二刻蚀误差预测模块，根据增强特征图产生第二刻蚀误差预测结果；构建刻蚀误差加权模块，产生刻蚀误差预测结果；构建刻蚀参数自适应调节模块，根据刻蚀误差预测结果进行刻蚀控制。本申请能够自适应地快速、准确得调节刻蚀参数，提高刻蚀控制柜的控制精度和控制效率，满足先进制程对刻蚀精度和效率的需求。

天眼查资料显示，新美光（苏州）半导体科技有限公司，成立于2013年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1049.9858万人民币。通过天眼查大数据分析，新美光（苏州）半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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