菲卢克斯申请雪崩光电二极管器件专利，该雪崩层包含锑
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2026-01-16 19:08:27
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国家知识产权局信息显示，菲卢克斯科技有限公司申请一项名为“雪崩光电二极管器件”的专利，公开号CN121336512A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（400）。APD子组件包括：衬底（401）；形成在衬底（401）上的第一接触层（403）；第二接触层（402）；以及包含锑的雪崩层（406）。雪崩层（406）被设置在第一接触层（403）和第二接触层（402）之间。第一接触层（403）是n‑型接触层。第二接触层（403）包括通过扩散锌形成的p‑型接触区（450）。p‑型接触区（450）具有比雪崩层（406）更小的横截面面积，该横截面面积垂直于从衬底（401）到第二接触层（402）的方向。
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