新微半导体取得pHEMT器件专利，减小电镀花斑可能性_资讯

新微半导体取得pHEMT器件专利，减小电镀花斑可能性

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2026-01-16 15:08:37

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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司取得一项名为“pHEMT器件”的专利，授权公告号CN223810082U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种pHEMT器件，包括：基底和形成于基底上的金属互连结构；所述金属互连结构包括：从下至上依次堆叠的欧姆接触层、第一金属镀层和第二金属镀层；所述第一金属镀层包括从下至上依次堆叠的第一黏附层、第一金属结构层、第二金属结构层和第二黏附层，所述第一金属结构层的阻值小于所述第二金属结构层的阻值，所述第二金属结构层的硬度大于所述第一金属结构层的硬度。所述第一金属镀层中，通过形成硬度更高的所述第二金属结构层来改善因后续刻蚀工艺所导致的表面粗糙度以及阻挡所述第一金属结构层向所述第二黏附层扩散在所述第一金属镀层的表面形成聚集点，从而可以减小在所述第一金属镀层上电镀所述第二金属镀层时产生电镀花斑的可能性。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息130条，此外企业还拥有行政许可83个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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