博越微电子申请改进DDR存储器写训练电路设计专利，有效提升存储器系统初始化速度与运行稳定性_资讯

博越微电子申请改进DDR存储器写训练电路设计专利，有效提升存储器系统初始化速度与运行稳定性

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2026-01-15 19:08:21

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国家知识产权局信息显示，博越微电子（江苏）有限公司申请一项名为“一种改进的DDR类动态存储器写训练的电路设计方法”的专利，公开号CN121328431A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改进的DDR类动态存储器写训练的电路设计方法，涉及半导体存储器技术领域。该方法包括：在动态存储器颗粒内部集成计数器与数据比较模块，实现训练数据的实时比对与正确次数统计。通过动态设置写训练序列长度，并基于历史统计窗口内多次训练的成功率与单次训练耗时，综合计算写训练评分。采用定向搜索策略对写训练序列长度进行迭代优化，以获取平衡训练精度与速度的最优序列长度。最终将最优序列长度固化为计数器的计数终值，结合持续比对的数据比较模块，生成具备自适应能力的写训练电路。该电路设计方法能够在不同工作条件下自动维持最优训练性能，有效提升存储器系统的初始化速度与运行稳定性。

天眼查资料显示，博越微电子（江苏）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2500万人民币。通过天眼查大数据分析，博越微电子（江苏）有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

计数器数据动态序列长度训练存储器系统微电子专利电路

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