甬矽半导体申请2.5D封装结构专利，极大地提升制程良率_资讯

甬矽半导体申请2.5D封装结构专利，极大地提升制程良率

创始人

2026-01-15 11:09:58

0次

国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D封装结构”的专利，公开号CN121335611A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种2.5D封装方法和2.5D封装结构，涉及芯片封装技术领域，首先制备堆叠封装模块。然后抛光减薄粘接胶层和第一塑封层，从而使得粘接胶层减薄至预设厚度。再对粘接胶层和第一塑封层进行等离子处理，使得粘接胶层改性并粉末化，且第一塑封层的表面老化形成白化层。然后再次通过抛光减薄工艺去除粉末化后的粘接胶层和白化层，从而露出桥连芯片上的第一导电柱。最后在第一塑封层表面形成第二重布线层。相较于现有技术，本发明实施例由于采用等离子工艺对粘接胶层进行处理，使得粘接胶层能够改性并粉末化，能够轻易地将残留的粘接胶去除干净，降低工艺难度，避免出现芯片过磨的现象，极大地提升制程良率。同时提升了去除效率。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息243条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资等离子半导体芯片宁波粉末工艺专利胶层制程良率白化层

上一篇：奥联电子最新股东户数环比下降5.90% 筹码趋向集中

下一篇：没有了

甬矽半导体申请2.5D封装结构专利，极大地提升制程良率

相关内容

热门资讯