观点指数(GDIRI) 随着AI算力需求步入爆发式增长周期，作为算力基础设施核心组成的存储芯片，正迎来一轮显著的价格上行周期。国际存储芯片企业计划于2026年第一季度，将服务器DRAM价格较2025年第四季度上调60%-70%。

作为国产存储芯片头部企业，兆易创新是少数在利基型DRAM、NOR Flash和MCU多领域跻身全球前列的Fabless芯片设计公司，在抓住涨价周期红利、实现营收净利双增长的同时，也面临着代工厂依赖的供应链风险与资本扩张的战略考验。

值得关注的是，兆易创新的A股股价从2025年初的105.91元/股起步，累计全年涨幅达101.25%，截至2026年初股价突破273.77元/股，更是创历史新高，对应市值超1800亿元。

在全球存储芯片产业格局重构与国产化进程加速的双重背景下，兆易创新于2026年1月13日在香港H股上市，此举能否为公司打开全球化发展空间、进一步夯实核心竞争力，值得市场持续关注。

存储芯片涨价潮

自2025年起，受AI技术迭代催生的存储需求增长影响，全球存储芯片市场进入持续上行周期，多款产品价格实现翻倍增长，涨势将延续至2026年已成为行业普遍共识。

需求端，2025年全球服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量同比增长40%至50%，AI服务器对存储的需求强度为普通服务器的8-10倍，而当前大量存量及新增AI服务器仍以DDR4芯片为主要适配存储产品。

供给端方面，三星、SK海力士等国际头部企业为优先保障HBM（高带宽内存）等先进制程产能，大幅缩减DDR4等成熟制程的产能分配，直接导致特定型号中低端存储芯片供给出现缺口。

最引人注目的是，DDR4内存条价格在一年内翻三倍多，出现“前代产品价格反超新一代”的异常现象，甚至报价有“一盒100根DDR4内存条售价400万”，反映了当前存储芯片的稀缺程度。

三星、SK海力士等龙头企业明确计划在2026年第一季度，将服务器DRAM价格较2025年第四季度上调60%至70%。上游原厂密集发布涨价通知，导致下游模组厂成本压力显著上升，行业竞争格局加速调整。

而数据中心建设成本攀升推动AI算力投资从扩张式布局转向理性规划。与此同时，汽车、工业等领域对存储产品的定制化、大容量需求持续释放，为国产供应链切入高端存储市场创造了契机。

在此市场背景下，兆易创新凭借此前布局的DDR4、DDR3L及LPDDR4等系列产品，实现对市场需求的有效承接。相关行业报告显示，截止目前16GB DDR4芯片价格环比涨幅高达75.93%，8GB DDR4芯片涨幅30%左右，4GB DDR3芯片涨幅达41.66%。面对涨价潮，华硕、微星等终端厂商纷纷在现货市场采购消费类DRAM。

而在NOR Flash领域，公开数据显示，兆易创新NOR Flash产品全球市场占有率从2012年的3%逐步提升至2024年的18.5%，位列全球第二。该公司计划在2026年完善45nm NOR Flash产品线，实现32Mb及以上容量45nm产品量产，并将产品品质提升至工业级和汽车级标准，进一步拓展产品的应用场景。

在MCU领域，兆易创新已量产63大系列、超700款产品，累计出货量超19.8亿颗。公司2025年7月成立汽车业务单元（BU），其推出的首颗单核ASIL-BA7系列车规MCU产品，目前已实现头部Tier1客户及下游OEM客户的多个项目定点，后续还将规划域控、BMS等多个汽车相关产品线，完善汽车电子赛道的布局。

合作代工厂的依赖

兆易创新采用Fabless（无晶圆厂）模式运营，聚焦芯片研发与设计核心环节，晶圆制造、封测等生产流程均交由头部代工厂协作。该轻资产模式在行业上升周期优势显著，无需承担巨额产能建设与维护成本，可以快速响应市场需求，调整产品结构。

但Fabless模式的局限性亦随之显现，其高度依赖代工厂的产能、技术和交付稳定性，供应链安全成为企业发展的核心变量。对于兆易创新来说，随着利基型DRAM、NOR Flash等产品需求的增长，代工厂的产能保障能力将直接影响到公司能否及时把握市场机遇、兑现业绩红利。

据观点指数梳理，兆易创新的核心产能分布于长鑫科技、中芯国际、华虹半导体、台积电等多家代工企业，从2025-2026年产能扩张计划来看，核心增量集中在华虹无锡和长鑫合肥两大基地。

其中，华虹无锡三期项目全部建成后，月产能将接近20万片；长鑫合肥一期已实现投产，三期项目满产后月产能可达36万片，两大基地将成为支撑兆易创新未来2-3年业务增长的核心产能支柱。

据了解，此前中芯国际代工产能处于饱和状态，兆易创新将部分NOR Flash存储芯片的生产订单转移至华虹无锡12英寸产线，同时调整产能分配策略，将中芯国际的代工资源更多倾斜至逻辑芯片MCU产品的生产。

为对冲供应链依赖风险，兆易创新选择通过资本绑定深化合作，公司出资15亿元参与长鑫科技集团增资，持股比例提升至1.88%，成为A股中参股比例最高的上市公司，通过“股权+代工+代销”三重绑定，锁定了利基型DRAM的独家代工产能。

但供应链的潜在风险仍未完全消除。一方面，核心产能集中于少数代工厂，若出现扩产延迟、技术良率波动或政策调整受限等情况，将直接影响公司的交付能力。

另一方面，存储芯片行业存在产能扩张周期长、投入大等特点，华虹无锡三期、长鑫合肥三期均需数年建设周期，难以快速响应市场短期的需求波动。

而兆易创新还通过自建测试中心、布局前瞻技术等方式完善供应链生态，在技术端，公司投资设立北京青耘科技，专注于存储器控制器、三维堆叠存储器等先进技术的研发。

在产品线拓展层面，以3.16亿元收购苏州赛芯电子38.07%股权并成为其控股股东，获取锂电池保护芯片、电源管理芯片等模拟IC产品线；同时投资光羽芯辰布局AIoT领域，通过生态链投资拓宽发展边界，希望降低对单一存储业务及对应代工厂的依赖。

资本扩张挑战

2025年三季报显示，兆易创新单季度实现营收26.81亿元，同比增长31.40%；归母净利润5.28亿元，同比大增61.13%，盈利增速显著高于收入增速，凸显出产品量价齐升背景下的盈利弹性。

分业务来看，存储芯片业务营收28.45亿元，营收占比达68.55%，是核心营收支柱；MCU业务实现营收9.59亿元，同比增长19.1%，成为公司第二增长曲线。

市场需求旺盛程度更直观体现在合同负债上，截至2025年三季度末，公司合同负债规模达2.19亿元，同比增长189%，增量主要来源于利基型DDR产品的大额订单。

数据来源：公司季度报，观点指数整理

在此市场环境下，兆易创新于2026年1月13日在香港上市，全球发售2891.58万股H股，预计募资净额41.81亿港元，资金将主要用于三大方向：一是增强研发能力，持续迭代产品和技术创新，聚焦存储器控制器、三维堆叠等先进技术；二是战略及产业相关投资与收购；三是全球营销与业务网络建设。

为配合全球化布局，公司已在新加坡设立国际总部，统筹国际运营与供应链协同；业务拓展层面，公司与南京南瑞继保达成战略合作，加速国产器件在工业领域的落地应用。

不过，资本扩张在推动公司规模增长的同时，也使其面临资金、技术与市场竞争等多重挑战。

从资金层面来看，半导体行业属于典型的资本密集型产业，研发投入与产能布局均需要持续注入巨额资金。2025年前三季度，兆易创新研发费用已达8.6亿元，同比实现小幅增长。

赴港上市募资虽能缓解短期压力，但未来先进制程研发、产能布局仍需持续的资金注入，若业绩增长不及预期，可能面临资金链紧张的风险。

而技术突破更是核心难关，当前公司核心产品集中在利基型DRAM、中低端NOR Flash等领域，与三星、SK海力士等国际巨头在先进制程、高端产品上差距明显。

虽然公司已前瞻布局存储器控制器、三维堆叠等前瞻技术，但这些领域研发周期长、投入大、技术风险高，能否实现技术突破并产业化，直接决定了公司未来的核心竞争力。且在45nm NOR Flash完善、汽车级产品升级等方面，其仍需持续攻关。

市场竞争加剧进一步提升了扩张的难度，紫光国芯等国内企业密集推进IPO抢占存储赛道，国际巨头则在HBM等高端领域形成技术垄断，叠加下游对产品性能要求升级，若响应不及时将错失机遇。

此外，公司通过股权绑定、多代工厂布局缓解了依赖，但代工厂的产能爬坡进度、技术合作深度仍存在不确定性，若核心代工厂出现产能短缺情况，仍将对公司的产品交付能力产生影响。

AI驱动的存储芯片涨价潮，为兆易创新带来了阶段性的周期红利，公司凭借其产品布局实现了业绩的大幅增长。通过绑定核心代工厂、战略增资、横向收购等举措，公司在缓解供应链依赖的同时，构建了多元化的业务生态。

周期红利为兆易创新带来扩张窗口，2025年公司股价全年涨幅达101.25%，截止2026年初突破273.77元/股，再创新高，股权绑定、赴港上市等举措已奠定基础，但长期发展仍需突破对行业周期的依赖。

此次资本扩张既是机遇也是考验，依托短期红利持续技术攻关、完善供应链生态、构建差异化优势，才能在全球存储芯片产业重构的浪潮中，实现从“中国领先”到“世界一流”的战略升级，稳固AI时代全球存储领域的核心地位。

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