铨心半导体取得半导体装置专利,提升电子组件散热效率
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2026-01-13 21:14:40
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国家知识产权局信息显示,铨心半导体异质整合股份有限公司取得一项名为“半导体装置”的专利,授权公告号CN223798690U,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本实用新型提供一种半导体装置,包括冷却中介组件、第一导热组件、第二导热组件、第一电子组件及第二电子组件。冷却中介组件具有相对的第一侧与第二侧且包含冷却液。第一电子组件配置在第一导热组件与冷却中介组件的第一侧之间。第二电子组件配置在第二导热组件与冷却中介组件的第二侧之间。

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来源:市场资讯

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