国芯半导体取得半导体硅外延片电阻率测试装置专利，实现自动测试提升效率_资讯

国芯半导体取得半导体硅外延片电阻率测试装置专利，实现自动测试提升效率

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2026-01-13 16:39:39

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国家知识产权局信息显示，国芯半导体（仪征）有限公司取得一项名为“一种半导体硅外延片电阻率测试装置”的专利，授权公告号CN223796610U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体硅外延片电阻率测试装置，涉及半导体硅外延片电阻率测试领域，包括测试安装台，测试安装台上方设有自动测试安装组件，自动测试安装组件一侧设有自动进出料组件，自动进出料组件一侧设有物料输送组件，本实用新型对现有技术做出了改进，在实际使用中，通过自动测试安装组件，可以自动对半导体硅外延片电阻率进行自动测试，解决了传统的测试方法和装置逐渐暴露出诸多问题，例如整个测试过程需要手动调整探针位置，操作繁琐，测试效率较低的问题。

天眼查资料显示，国芯半导体（仪征）有限公司，成立于2011年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2980万美元。通过天眼查大数据分析，国芯半导体（仪征）有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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