晶合集成申请图像传感器及其制造方法专利，隔离介质层中形成有气隙_资讯

晶合集成申请图像传感器及其制造方法专利，隔离介质层中形成有气隙

创始人

2026-01-13 16:09:55

0次

国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121310679A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了图像传感器及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸；在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙；以及去除所述半导体层的上部，隔离介质层保留于沟槽中的部分形成隔离结构，隔离介质层被暴露出的部分形成格栅结构。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造投资沟槽隔离介质图像传感器晶合专利气隙图像传感器介质层半导体层

上一篇：视源电子取得最少口型文本筛选方法专利

下一篇：预警！亿晶光电有多大可能“带帽”？

晶合集成申请图像传感器及其制造方法专利，隔离介质层中形成有气隙

相关内容

热门资讯