晶合集成申请图像传感器及其制造方法专利，隔离介质层中形成有气隙
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2026-01-13 16:09:55
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121310679A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了图像传感器及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸；在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙；以及去除所述半导体层的上部，隔离介质层保留于沟槽中的部分形成隔离结构，隔离介质层被暴露出的部分形成格栅结构。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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