朗姆研究申请利用气静压轴承的衬底蚀刻专利，可在半导体衬底与电极表面之间形成刚性
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2026-01-12 19:38:37
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国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“利用气静压轴承的衬底蚀刻”的专利，公开号CN121311962A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，提供了用于处理半导体衬底的技术和装置。在一些实施方案中，这样的技术可包括：启动第一气静压轴承气体通过第一电极组件的第一表面；将半导体衬底接收在第一电极子组件的第一表面与被设置成与第一电极子组件相对的第二电极组件的第二表面之间；通过第二表面启动第二气静压轴承气体；移动第二电极子组件以在半导体衬底与第一表面以及第二表面之间形成刚性；以及使用通过第一电极子组件和第二电极子组件所产生的等离子体来处理半导体衬底的边缘部分。
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来源：市场资讯
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