朗姆研究申请用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法专利，能够增强由下而上的填充
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2026-01-12 11:40:51
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国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法”的专利，公开号CN121312310A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，以介电材料填充间隙包括在沉积期间使用抑制等离子体。抑制等离子体会增加沉积膜的成核屏障。抑制等离子体选择性地在特征的顶部附近产生作用，与特征的底部相比，抑制在特征的顶部的沉积，从而增强由下而上的填充。
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来源：市场资讯
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