朗姆研究申请用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法专利，能够增强由下而上的填充_资讯

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2026-01-12 11:40:51

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国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法”的专利，公开号CN121312310A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，以介电材料填充间隙包括在沉积期间使用抑制等离子体。抑制等离子体会增加沉积膜的成核屏障。抑制等离子体选择性地在特征的顶部附近产生作用，与特征的底部相比，抑制在特征的顶部的沉积，从而增强由下而上的填充。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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