北方集成电路申请一种半导体结构及其形成方法专利，可以提高TSV结构顶面金属连接层的平整度_资讯

北方集成电路申请一种半导体结构及其形成方法专利，可以提高TSV结构顶面金属连接层的平整度

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2026-01-12 10:13:55

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310993A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有粘附层、刻蚀停止层、第一介质层以及贯穿所述第一介质层、刻蚀停止层和粘附层并延伸至所述半导体衬底中的硅通孔结构；填充层，位于所述硅通孔结构侧壁的部分所述第一介质层中连接所述刻蚀停止层，所述硅通孔结构的顶面、所述填充层的顶面以及所述第一介质层的顶面平齐。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以提高TSV结构顶面金属连接层的平整度。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息505条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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