北京集成电路装备创新中心申请半导体器件刻蚀后表面处理方法专利，提高了沟槽的存储电容的介电性能、电荷存储能力以及可靠性_资讯

北京集成电路装备创新中心申请半导体器件刻蚀后表面处理方法专利，提高了沟槽的存储电容的介电性能、电荷存储能力以及可靠性

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2026-01-11 00:07:01

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法”的专利，公开号CN121310859A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法，包括：提供半导体器件：半导体器件具有沟槽；预处理：在惰性气体和活性气体气氛下，去除沟槽内的聚合物，修复沟槽的内壁面的化学键缺陷，形成含硅化合物层；等离子体刻蚀处理：在氟基气体和惰性气体气氛下，刻蚀含硅化合物层，露出沟槽的内壁面。该半导体器件的刻蚀后表面处理方法，首先，通过预处理，物理轰击去除聚合物，并在沟槽的内壁面形成含硅化合物保护层；然后，通过等离子体刻蚀，去除含硅化合物，可以避免高能等离子体对沟槽的内壁面造成损伤，从而提高了沟槽的存储电容的介电性能、电荷存储能力以及可靠性。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业能力装备投资沟槽存储电容处理集成电路专利电性能气体器件半导体内壁面

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