晶源微电子申请高压N型MOS管结构专利，能够在不增加当前线性稳压电路功耗的情况下同时具备过流保护和过压保护_资讯

晶源微电子申请高压N型MOS管结构专利，能够在不增加当前线性稳压电路功耗的情况下同时具备过流保护和过压保护

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2026-01-10 17:08:20

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国家知识产权局信息显示，无锡市晶源微电子股份有限公司申请一项名为“高压N型MOS管结构、线性稳压防护装置及电源系统”的专利，公开号CN121310643A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种高压N型MOS管结构、线性稳压防护装置及电源系统，包括：P型衬底；高压N阱；第一P型阱区，位于高压N阱内；第二P型阱区，位于高压N阱外；N型阱区，位于高压N阱内，对称设置在第一P型阱区两侧；在P型衬底的表面依次间隔设置多个有源区，每个有源区的两侧均设置场区；在P型衬底的表面形成间隔设置的外氧化层，且外氧化层之间与有源区以及部分场区对应位置处形成金属连接层；耐压调整层，位于P型衬底内部，用于调整高压N阱与P型衬底之间和/或高压N阱与第一P型阱区之间的耐压。本发明提供的高压N型MOS管结构能够在不增加当前线性稳压电路功耗的情况下同时具备过流保护和过压保护。

天眼查资料显示，无锡市晶源微电子股份有限公司，成立于2003年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5106.6757万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市晶源微电子股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息192条，此外企业还拥有行政许可15个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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