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芯煜达科技申请低动态电阻MEMS谐振器专利，在不牺牲线性度的情况下减小动态电阻

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2026-01-10 09:37:54

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国家知识产权局信息显示，上海芯煜达科技有限公司申请一项名为“一种低动态电阻的MEMS谐振器及其制备方法”的专利，公开号CN121308706A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开一种低动态电阻的MEMS谐振器及其制备方法，涉及微机电系统技术领域。该低动态电阻的MEMS谐振器包括基础层、下电极层和上电极层。下电极层包括多个相同的正方阵。每个正方阵包括相互隔开的连接组和独立组。连接组包括相互连接的两个连接电极，独立组包括相互隔开的两个独立电极，位于连接组的两侧。相邻正方阵以顶角连接顶角的方式耦合。上电极层的相邻正方膜以顶角连接顶角的方式耦合。本申请将多个正方阵和正方膜的组合并联，降低了MEMS谐振器的动态电阻，自动产生单个共振响应，即其中所有正方膜以完全相同的频率振动，本方案在不牺牲线性度的情况下减小动态电阻。

天眼查资料显示，上海芯煜达科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本667万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯煜达科技有限公司专利信息5条，此外企业还拥有行政许可4个。

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来源：市场资讯

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