华虹半导体申请降低栅氧界面态的栅氧退火方法专利，有效提升半导体器件电学性能和可靠性_资讯

华虹半导体申请降低栅氧界面态的栅氧退火方法专利，有效提升半导体器件电学性能和可靠性

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2026-01-10 09:09:32

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“降低栅氧界面态的栅氧退火方法”的专利，公开号CN121310988A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种降低栅氧界面态的栅氧退火方法，该方法旨在解决薄氮氧化硅栅介质界面态密度高的问题。该方法包括：在氮气气氛下对经过氮化处理的栅氧化层进行第一退火处理；然后在该第一退火处理之后，原位地在纯氧气氛下对该栅氧化层进行再氧化处理。通过该原位再氧化处理，在栅氧化层与硅衬底的界面处形成一层高质量的二氧化硅薄层，从而有效修复界面悬挂键并降低界面处的氮浓度。本发明能够显著降低界面态密度及栅氧漏电，同时维持等效氧化物厚度基本不变，有效提升了半导体器件的电学性能和可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1965条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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