国家知识产权局信息显示,成都宏科电子科技有限公司申请一项名为“一种适用于金带焊接用低温共烧型厚膜电阻制备方法”的专利,公开号CN121281947A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明公开了一种适用于金带焊接用低温共烧型厚膜电阻制备方法,涉及电阻制备工艺技术领域,包括以下步骤:S1:基板预处理,刻槽成预设目标尺寸,清洗去除表面杂质和水分;S2:金电极印刷,采用丝网印刷工艺印刷金基电极浆料,形成电极结构;S3:电阻层印刷,形成电阻层;S4:低温共烧将印刷好电阻层和电极层的基板进行低温共烧;S5:激光调阻,对烧结后的基片进行激光调阻;S6:裂片,将调阻后的基板进行拆粒处理,制得单个电阻器。本发明通过先印刷金电极再印刷电阻层,金电极作为后续金带电阻焊的直接接触层,能够更好地与金带形成冶金结合,提高了电阻器对金带电阻焊工艺的适配性。
天眼查资料显示,成都宏科电子科技有限公司,成立于1999年,位于成都市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9670万人民币。通过天眼查大数据分析,成都宏科电子科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目875次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息254条,此外企业还拥有行政许可92个。
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