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珠海楠欣半导体申请半导体器件及其制备方法专利，能够提升电子迁移率

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2026-01-08 01:08:49

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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、芯片及电子设备”的专利，公开号CN121285012A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：衬底；沿所述衬底的第一侧，形成在所述衬底中的第一掺杂类型阱区，形成在所述第一掺杂类型阱区中的应力区和第二掺杂类型源区，形成在所述应力区中的第二掺杂类型漏区；以及沿所述衬底的第一侧，形成在所述衬底上的栅极结构；其中，所述应力区通过生长与所述衬底材料晶格失配的材料形成，沿所述衬底的厚度方向，所述栅极结构覆盖在部分所述应力区和部分所述第一掺杂类型阱区的顶部，且与所述第二掺杂类型漏区和所述第二掺杂类型源区相连接。本申请提供一种能够提升电子迁移率，进而增加nLDMOS的电流能力的技术方案。

天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息229条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示投资半导体电子珠海应力楠欣专利类型型源区衬底阱区应力区

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