韦尔半导体取得共漏极双MOSFET器件专利，大幅减小晶圆面积
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2026-01-07 18:11:39
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国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种共漏极双MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223772423U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请提供的一种共漏极双MOSFET器件，将两个MOSFET分别置于晶圆的正面和背面，大幅减小了晶圆的面积，从而降低了生产成本。减小的面积使得在PCB板上的焊接面积也相应减小，为高密度集成电路的设计提供了更多可能。
天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息204条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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