广能达半导体取得灌胶散热结构和射频电源专利，防止局部过热现象_资讯

广能达半导体取得灌胶散热结构和射频电源专利，防止局部过热现象

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2026-01-07 11:10:49

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国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司取得一项名为“一种灌胶散热结构和射频电源”的专利，授权公告号CN223770914U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种灌胶散热结构和射频电源，灌胶散热结构包括底座、两个挡胶板和导热封装层，两个挡胶板分别设置在底座的左右两侧，且两个挡胶板和底座围设形成有用于放置变压器模组的容置腔；导热封装层位于容置腔内，且导热封装层包绕变压器模组的至少一部分。这样设计，通过将变压器模组、底座、挡胶板和导热封装层结合在一起，形成一个整体封装单元，导热封装层通过其内含的高导热填料，能够快速地将变压器模组产生的热量传导出去，避免热量在发热元件内部积聚，其次，导热封装层包绕变压器模组的至少一部分，能够将变压器模组产生的热量均匀分散至整个导热封装层，防止局部过热现象。

天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目8次，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

变压器广能达局部电源散热深圳市导体模组结构专利灌胶装层挡胶板

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