中博芯半导体申请二极管芯片专利，提高二极管芯片的发光效率_资讯

中博芯半导体申请二极管芯片专利，提高二极管芯片的发光效率

创始人

2026-01-05 15:08:19

0次

国家知识产权局信息显示，北京中博芯半导体科技有限公司申请一项名为“二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法”的专利，公开号CN121262953A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请提供了一种二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法，应用于半导体技术领域。该二极管芯片包括支撑层、有源层、p型接触层、电子阻挡层和n型接触层，有源层设置在支撑层沿第一方向的一侧的第一区域，p型接触层设置在支撑层沿第一方向的一侧的第二区域，p型接触层与有源层接触，电子阻挡层设置在有源层背离支撑层的一侧，n型接触层设置在电子阻挡层背离有源层的一侧。本申请实施例提供的二极管芯片，不仅可以提高进入有源层的p型载流子的数量，同时可以降低进入有源层的n型载流子的数量，从而可以提高有源层中p型载流子和n型载流子的对称性，提高二极管芯片的发光效率。

天眼查资料显示，北京中博芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13090.44万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中博芯半导体科技有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资效率芯片有源导体阻挡层专利二极管流子支撑层 p型

上一篇：玩家攻略“笑傲江湖辅助软件”!透视曝光猫腻

下一篇：消费电子ETF(561600)涨超2.7%，政策引导电器电子产品、汽车、动力电池等生产企业参与回收利用

中博芯半导体申请二极管芯片专利，提高二极管芯片的发光效率

相关内容

热门资讯