浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，改善了反向恢复特性
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2026-01-05 13:36:44
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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121262846A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法，该方法通过先提供包括衬底层和外延层的衬底结构，对外延层进行刻蚀处理，以形成位于所述外延层表面的预设体区；于所述预设体区中沉积目标半导体材料；目标半导体材料与衬底结构的材料不同；对目标半导体材料进行离子注入，以形成间隔设置的体区以及位于体区中的离子注入区；体区的导电类型和衬底结构的导电类型不同；于体区表面形成第一金属层以及衬底层另一侧表面形成第二金属层。如此，使得体区和外延层之间形成异质结体二极管，异质结体二极管具有低异质结电子势垒、较低的反向开启电压等优势，改善了反向恢复特性，缩短了反向恢复时间，提高了开关效率。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目273次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息514条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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