浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，改善了反向恢复特性_资讯

浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，改善了反向恢复特性

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2026-01-05 13:36:44

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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121262846A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法，该方法通过先提供包括衬底层和外延层的衬底结构，对外延层进行刻蚀处理，以形成位于所述外延层表面的预设体区；于所述预设体区中沉积目标半导体材料；目标半导体材料与衬底结构的材料不同；对目标半导体材料进行离子注入，以形成间隔设置的体区以及位于体区中的离子注入区；体区的导电类型和衬底结构的导电类型不同；于体区表面形成第一金属层以及衬底层另一侧表面形成第二金属层。如此，使得体区和外延层之间形成异质结体二极管，异质结体二极管具有低异质结电子势垒、较低的反向开启电压等优势，改善了反向恢复特性，缩短了反向恢复时间，提高了开关效率。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目273次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息514条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资于体区外延金属层导体创芯结构专利衬底层半导体外延层衬底体区

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