晋华集成电路申请半导体器件专利，优化半导体器件的操作表现_资讯

晋华集成电路申请半导体器件专利，优化半导体器件的操作表现

创始人

2026-01-05 12:36:54

0次

国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121263057A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件，包括衬底，沟道层，多个栅极以及多个金属氧化物层。衬底包括多个浅沟槽隔离和多个有源区，浅沟槽隔离包括第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离。栅极分别设置在浅沟槽隔离上，分别包括由下往上依次堆叠的栅极层与绝缘盖层。金属氧化物层分别设置在栅极与浅沟槽隔离之间，包括覆盖第一浅沟槽隔离的第一金属氧化物层，和覆盖第二浅沟槽隔离的第二金属氧化物层。第一金属氧化物层的最底面高于第二金属氧化物层的最底面。由此，半导体器件的组件效能和结构可靠性得以提升，从而优化半导体器件的操作表现。

天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目561次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息989条，此外企业还拥有行政许可76个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示栅极福建省投资沟槽隔离集成电路包括专利器件浅沟槽半导体氧化物

上一篇：三安光电：12月31日融资买入9698.07万元，融资融券余额47.67亿元

下一篇：云茂智能申请基于机器学习的芯片自动化测试系统专利，实现对芯片时钟周期的快速追踪和实时同步

晋华集成电路申请半导体器件专利，优化半导体器件的操作表现

相关内容

热门资讯