弥尔光半导体申请单载流子光电二极管及其制备方法专利，有效提高单载流子光电二极管的散热能力_资讯

弥尔光半导体申请单载流子光电二极管及其制备方法专利，有效提高单载流子光电二极管的散热能力

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2026-01-02 18:37:53

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国家知识产权局信息显示，弥尔光半导体（北京）有限公司申请一项名为“单载流子光电二极管及其制备方法、以及探测芯片”的专利，公开号CN121262901A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种光电二极管及其制备方法、以及探测芯片，一实施例的光电二极管包括：衬底，衬底的材料为SiC；通过键合方式与衬底结合的外延层；形成在外延层远离衬底一侧的电极；与电极绑定的散热基板。该实施方式的光电二极管通过提供与外延层键合的、SiC材料的衬底，并配合倒装的散热基板，有效提高单载流子光电二极管的散热能力，从而提高输出射频功率。

天眼查资料显示，弥尔光半导体（北京）有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本515.4639万人民币。通过天眼查大数据分析，弥尔光半导体（北京）有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资载流子散热申请单导体专利二极管流子光电衬底弥尔光

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