国家知识产权局信息显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司;盛帷半导体设备（上海）有限公司申请一项名为“化学气相沉积方法”的专利，公开号CN121204634A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种化学气相沉积方法，涉及半导体制造技术领域，所述化学气相沉积方法包括：S100、提供具有凹槽的衬底，并将所述衬底置于反应腔室内；S200、执行沉积操作，所述沉积操作被配置为向所述反应腔室内提供反应气体，所述反应气体经过反应后的生成物在所述衬底的表面和所述衬底的凹槽内沉积膜层；S300、停止通入反应气体，执行吹扫操作，所述吹扫操作被配置为将未吸附于衬底的表面和衬底的凹槽开口处的生成物吹入到所述衬底的凹槽内或排出所述反应腔室，并保留所述凹槽内未吸附的生成物；S400、循环步骤S200和S300以沉积预定厚度的膜层。本方法凹槽在填充过程中不易提前封口，减少了凹槽内空洞的形成，提高了膜层沉积的质量。

天眼查资料显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2005年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本47989.2514万人民币。通过天眼查大数据分析，盛美半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目171次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息654条，此外企业还拥有行政许可31个。

盛帷半导体设备（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本162234.85万人民币。通过天眼查大数据分析，盛帷半导体设备（上海）有限公司参与招投标项目8次，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可90个。

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来源：市场资讯