芯合电子申请减少平面MOSFET栅漏寄生电容专利，通过在栅极与漏极的接触填充金属之间引入空气隙以减少Cgd_资讯

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2025-12-29 09:38:38

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国家知识产权局信息显示，芯合电子（上海）有限公司申请一项名为“一种减少平面MOSFET栅漏寄生电容的制备方法及器件”的专利，公开号CN121215610A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种减少平面MOSFET栅漏寄生电容的制备方法及器件，具体通过在栅极与漏极的接触填充金属之间引入空气隙以减少Cgd。

天眼查资料显示，芯合电子（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1610.5263万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合电子（上海）有限公司共对外投资了10家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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