新创元半导体申请奇数层封装基板加工方法专利，显著降低生产成本_资讯

新创元半导体申请奇数层封装基板加工方法专利，显著降低生产成本

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2025-12-27 17:37:42

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国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种奇数层封装基板加工方法”的专利，公开号CN121218475A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种奇数层封装基板加工方法，包括：S1、使用CCL投料；CCL包括CCL基板以及覆盖于CCL基板两侧的铜箔；S2、在CCL基板一侧的铜箔上制作图形，形成L2层；S3、在L2层上层压一层玻纤增强塑料，并在玻纤增强塑料上方增加一层铜箔；S4、减少玻纤增强塑料上方以及CCL基板下方的铜箔的厚度；S5、制作L1、L3层。本发明相较于现有Coreless流程中采用Detach Core的制造工艺，显著降低了生产成本。

天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可74个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业奇数投资降低生产新创铜箔导体武汉专利加工奇数层玻纤基板

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