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深圳镓楠半导体申请氮化镓功率器件制造方法专利，可以降低器件的寄生电容

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2025-12-26 17:10:59

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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓功率器件的制造方法及氮化镓功率器件”的专利，公开号CN121218626A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓功率器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成外延结构、至少两个电极以及场板，在场板的上方形成TEOS层；在TEOS层的上方形成第一电荷平衡介质层，在第一电荷平衡介质层上方形成金属电极层，对金属电极层进行过度刻蚀从而形成至少两个独立的金属电极，同时使所述第一电荷平衡介质层对应分隔为多个电荷平衡介质部，从而使一个所述电荷平衡介质部与位于其上的金属电极形成一个电极部，任意两个所述电极部相互独立；其中，所述金属电极与至少一个所述电极电性连接。通过金属电极刻蚀的over etch切断第一电荷平衡介质层，可以释放器件内应力，可以降低器件的寄生电容。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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