镓楠半导体申请具有过温保护电阻的氮化镓功率器件专利，可非常准确的反应出器件的结温情况_资讯

镓楠半导体申请具有过温保护电阻的氮化镓功率器件专利，可非常准确的反应出器件的结温情况

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2025-12-26 17:10:35

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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有过温保护电阻的氮化镓功率器件及制造方法”的专利，公开号CN121218632A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请提供了一种具有过温保护电阻的氮化镓功率器件，包括：衬底、形成于衬底上方的外延结构、形成在外延结构上的源极、漏极、栅极；第一场板层，第一场板层位于栅极的上方；氮化镓功率器件还包括过温保护电阻，过温保护电阻与第一场板层经由同种材料淀积刻蚀形成，过温保护电阻与第一场板层电性隔离。本申请实施例还公开了一种具有过温保护电阻的氮化镓功率器件的制造方法，在介质淀积后，金属淀积并刻蚀，形成第一场板层以及过温保护电阻，其中，过温保护电阻与第一场板层电性隔离。不增加成本的情况下，将过温保护电阻集成在氮化镓HEMT器件里面，可以非常准确的反应出器件的结温情况。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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