联和存储科技申请NAND FLASH编程脉冲电压控制方法专利，避免NAND FLASH过度编程_资讯

联和存储科技申请NAND FLASH编程脉冲电压控制方法专利，避免NAND FLASH过度编程

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2025-12-26 12:39:47

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国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“NAND FLASH编程脉冲电压的控制方法、系统和装置”的专利，公开号CN121215006A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开一种NAND FLASH编程脉冲电压的控制方法、系统和装置，方法包括：获取对NAND FLASH编程前的初始电压以及进行编程时的目标脉冲电压；根据预设配置将初始电压与目标脉冲电压的电压区间划分为阶梯抬升的N个子脉冲电压，并确定各子脉冲电压的基准脉冲宽度；获取NAND FLASH的当前温度、当前编程循环次数和当前已施加脉冲电压总数；根据当前温度、当前编程循环次数和当前已施加脉冲电压总数调整各子脉冲电压的基准脉冲宽度，得到各子脉冲电压的目标脉冲宽度；依次根据各子脉冲电压的目标脉冲宽度输出各子脉冲电压，以使NAND FLASH从初始电压阶梯抬升至目标脉冲电压。本申请通过阶梯抬升NAND FLASH的脉冲电压，降低了瞬时电压的变化，避免了NAND FLASH过度编程。

天眼查资料显示，联和存储科技（江苏）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1818万人民币。通过天眼查大数据分析，联和存储科技（江苏）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息20条，专利信息88条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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