国家知识产权局信息显示，厦门士兰集科微电子有限公司、杭州士兰集成电路有限公司取得一项名为“肖特基二极管及其沟槽结构”的专利，授权公告号CN223714494U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种肖特基二极管及其沟槽结构，包括衬底、外延及沟槽结构；沟槽结构的第一区域沟槽结构、第二区域沟槽结构和第三区域沟槽结构在外延上形成圆角矩形，并构成元胞区沟槽：第一区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的I个第一沟槽，I个第一沟槽位于外延上的中间区域；第二区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的J个第二沟槽，J个第二沟槽位于I个第一沟槽的外侧；第三区域沟槽结构包括相互平行且相互间隔的J个第三沟槽，J个第三沟槽位于圆角矩形的四个圆角处，第三沟槽的第一端连接第二沟槽，第三沟槽的第二端连接第一沟槽结构中的最外侧的第一沟槽。本实用新型中的肖特基二极管正向导通压降较小，抗浪涌电流能力较好。

天眼查资料显示，厦门士兰集科微电子有限公司，成立于2018年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本530950.3753万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门士兰集科微电子有限公司参与招投标项目89次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可86个。

杭州士兰集成电路有限公司，成立于2001年，位于杭州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州士兰集成电路有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目28次，专利信息466条，此外企业还拥有行政许可253个。

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来源：市场资讯