万国半导体取得集成的平面-沟道栅极功率MOSFET专利_资讯

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2025-12-23 21:09:45

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国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司取得一项名为“集成的平面-沟道栅极功率MOSFET”的专利，授权公告号CN115241283B，申请日期为2022年4月。

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来源：市场资讯

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