国家知识产权局信息显示,上海格晶半导体有限公司取得一项名为“一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法”的专利,授权公告号CN116259648B,申请日期为2023年3月。
天眼查资料显示,上海格晶半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1500万人民币。通过天眼查大数据分析,上海格晶半导体有限公司共对外投资了2家企业,财产线索方面有商标信息3条,专利信息18条。
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